El siliciuro de magnesio, Mg2Si, es un compuesto inorgánico formado por magnesio y silicio. El Mg2Si suele formar cristales negros; son semiconductores con conductividad de tipo n y tienen aplicaciones potenciales en generadores termoeléctricos.[2]
Siliciuro de magnesio | ||
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General | ||
Fórmula molecular | Mg2Si | |
Identificadores | ||
Número CAS | 22831-39-6[1] | |
ChemSpider | 81111 | |
PubChem | 89858 | |
UNII | 475E6FMG3K | |
InChI=InChI=1S/2Mg.Si
Key: YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N | ||
Propiedades físicas | ||
Masa molar | 75,94701 g/mol | |
El Mg2Si cristaliza en la estructura antifluorita. En la red cúbica centrada en la cara,[3] los centros de Si ocupan las esquinas y las posiciones centradas en la cara de la celda unitaria y los centros de Mg ocupan ocho sitios tetraédricos en el interior de la celda unitaria. Los números de coordinación del Si y el Mg son ocho y cuatro, respectivamente.[4]
Se puede producir calentando dióxido de silicio, SiO2, que se encuentra en la arena, con un exceso de magnesio. El proceso forma primero silicio metálico y óxido de magnesio y, si se utiliza un exceso de SiO2, entonces se forma silicio elemental:
2 Mg + SiO2 → 2 MgO + Si
Si hay un exceso de Mg, se forma Mg2Si a partir de la reacción del magnesio restante con el silicio:
2 Mg + Si → Mg2Si
Estas reacciones proceden de forma exotérmica,[5] incluso explosiva.[6]
El siliciuro de magnesio está formado por iones Si4-. Como tal, es reactivo frente a los ácidos. Así, cuando el siliciuro de magnesio se trata con ácido clorhídrico, se produce silano (SiH4) y cloruro de magnesio:
Mg2Si + 4 HCl → SiH4 + 2 MgCl2
También puede utilizarse ácido sulfúrico. Estas reacciones de protonólisis son típicas de los siliciuros de metales alcalinotérreos del Grupo 2 y de metales alcalinos del Grupo 1. El desarrollo temprano de los hidruros de silicio se basó en esta reacción.[6]
El siliciuro de magnesio se utiliza para crear aleaciones de aluminio de la serie 6000, que contienen hasta aproximadamente un 1,5% de Mg2Si. Una aleación de este grupo puede endurecerse por envejecimiento para formar zonas Guinier-Preston y un precipitado muy fino, lo que aumenta la resistencia de la aleación.[7]
El siliciuro de magnesio es un semiconductor de brecha estrecha. Su cristal, tal y como ha crecido, muestra una conductividad de tipo n, pero puede cambiar a tipo p dopándolo con Ag, Ga, Sn y posiblemente Li (a un nivel de dopaje alto). La principal aplicación electrónica potencial del Mg2Si son los generadores termoeléctricos.[4][8]