Summary
Jean Amédée Hoerni (26 de septiembre de 1924-12 de enero de 1997) fue un pionero en los transistores de silicio y uno de los ocho niños de Faircild es recordado por desarrollar el Planar Process, proceso de manufactura de la industria de semiconductores para creación e interconexión de transistores.
| Jean Hoerni | ||
|---|---|---|
| Información personal | ||
| Nacimiento |
26 de septiembre de 1924 Ginebra (Suiza) | |
| Fallecimiento |
12 de enero de 1997 (72 años) Seattle (Estados Unidos) | |
| Nacionalidad | Suiza | |
| Educación | ||
| Supervisor doctoral | Richard C. Extermann | |
| Información profesional | ||
| Ocupación | Físico, empresario, montañero e ingeniero | |
| Miembro de | Los niños de Fairchild | |
| Carrera deportiva | ||
| Deporte | Montañismo | |
| Distinciones |
| |
Nació el 26 de septiembre de 1924 en Ginebra, Suiza. Recibió un doctorado en Física en la Universidad de Ginebra donde se había licenciado previamente en Matemáticas y posteriormente recibió otro doctorado, también en Física, en la Universidad de Cambridge.[1]
En 1952, se movió a Estados Unidos para trabajar en el Instituto de Tecnología de California donde pasó a familiarizarse con William Shockley "El Padre del Transistor".
Años después, Shockley recluta a Hoerni para trabajar en el recién fundado Laboratorio Shockley de Semiconductores, una división de Beckman Instruments, Inc. en Mountain View California. Pero el extraño comportamiento de Shockley lo obligaría a él y a otros siete destacados colegas a abandonarlo y crear la corporación Fairchild Semiconductor donde Hoerni llegaría a inventar Planar Process, el cual permitió al transistor ser creado de silicio mejor que el germanio. El Nombre "Silicon Valley" hace referencia al silicio.
Junto con los alumnos Jay Last y Sheldom Roberts, Hoerni Fundó Amelco (Mejoro conocida como Teledyne) en 1961.
En 1964, fundó la Unión Electrónica Carbide, en 1967 Intersil.
Fue premiado con la medalla Edward Longstreth del Instituto Franklin en 1969 y el premio McDowel en 1972.
Referencias
editar- ↑ «HOERNI, Jean Amédée». Foro Historico de las Telecomunicaciones (Colegio Oficial y Asociación Española de ingeniero de telecomunicaciones). Archivado desde el original el 24 de septiembre de 2020. Consultado el 26 de agosto de 2025. «Biografía: Jean Amédée Hoerni nació el 26 de Septiembre de 1924 en Ginebra. Tras cursar la formación primaria y bachillerato, inició estudios de matemáticas que concluyó con éxito en 1947 recibiendo la licenciatura en la Universidad de Ginebra. En 1950 se doctoró en Física en el mismo centro. Dos años después, 1952, logró un segundo doctorado en Física en la prestigiosa Universidad de Cambridge (Reino Unido). Poco después se trasladó al Instituto Tecnológico de California en Pasadena como investigador posdoctoral en Química, donde conoció a William Shockley, el inventor del transistor.
[...]».
Datos: Q952816
