DDR3 SDRAM permite usar integrados de 1 GiB a 8 GiB, siendo posible soportar módulos de hasta 16 GiB.

Los DDR3 tienen 240 pines al igual que DDR2 pero los DIMM son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca. DDR3 continúa la tendencia, duplicando el mínimo de lectura o escritura en la unidad a 8 bits por ciclo. Esto permite otra duplicación de la velocidad de bus sin tener que cambiar la velocidad de reloj de las operaciones internas. Para mantener las transferencias de 800-1600 Mb/s, la matriz RAM interna tiene que realizar sólo 100-200 millones de accesos por segundo.^[3]​

• El principal beneficio de DDR3 frente a DDR2 es la posibilidad de hacer transferencias de datos más rápidamente, y con esto obtener velocidades de transferencia y de bus más altas.
• Proporciona significativas mejoras de rendimiento en niveles de bajo voltaje(1,5 a 1,2 V), lo que conlleva una disminución global del consumo eléctrico.

• La desventaja es que como sucedió con DDR2, las Latencia de acceso es proporcionalmente más alta. Compensando ese aumento de latencias con mayor velocidad de transferencia.

Se preveía, que la tecnología DDR3 pudiera ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que prometía ofrecer DDR3 era la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexa-Core (2,4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficientes.

Teóricamente, estos módulos podían transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango del DDR2 de 400-1200 MHz ó 200-533 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.

Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estándar JEDEC, para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 9-9-9-24 para DDR3-1333.

En 2005, Samsung anunció un chip prototipo de 512 MiB (denominado "512 MB") a 1.066 MHz (la misma velocidad de bus frontal del Pentium 4 Extreme Edition más rápido) con una reducción de consumo de energía de un 40% comparado con los actuales módulos comerciales DDR2, debido a la tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes de operación y tensiones (1,5V , comparado con los 1,8 del DDR2 o los 2,6 del DDR). Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, como computadoras portátiles quizás se puedan beneficiar de la tecnología DDR3.^[4]​^[5]​

En 2008, Kingston Technology lanzó los primeros módulos de memoria a 2GB, para plataformas Intel Core i7 (Nehalem y Bloomfield ).^[6]​

Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (1600 a 4400 MHz en comparación con DDR3 de 800Mhz a 2400MHz), la tensión es también menor a sus antecesoras (1,45 a 1,05 para DDR4 y 1,65 a 1,2 para DDR3) DDR4 también apunta un cambio en la topología descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria está conectado a un módulo único. Visión detallada editar