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Anexo:Materiales semiconductores 
Summary
Lista de materiales semiconductores
editarGrupo IV
editarGrupos III y V
editar- Semiconductores con elementos de los grupos III y V
- Aleaciones dobles con aluminio:
- Antimoniuro: Antimoniuro de aluminio (AlSb)
- Arseniuro:Arseniuro de aluminio (AlAs)
- Nitruro:Nitruro de aluminio (AlN)
- Fosfuro: Fosfuro de aluminio (AlP)
- Con boro:
- Nitruro de boro (BN)
- Fosfuro de boro (BP)
- Arseniuro de boro (BAs)
- Con galio:
- Antimoniuro de galio (GaSb)
- Arseniuro de galio (GaAs)
- Nitruro de galio (GaN)
- Fosfuro de galio (GaP)
- Con indio:
- Antimoniuro de indio (InSb)
- Arseniuro de indio (InAs)
- Nitruro de indio (InN)
- Fosfuro de indio (InP)
- Aleaciones dobles con aluminio:
- Aleaciones triples con elementos de los grupos III y V
- Arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs, AlxGa1-xAs)
- Arseniuro de galio-indio (InGaAs, InxGa1-xAs)
- Fosfuro de galio-indio (InGaP)
- Arseniuro de indio-aluminio (AlInAs)
- Antimoniuro de indio-aluminio (AlInSb)
- Nitruro de galio-arsénico (GaAsN)
- Fosfuro de galio-arsénico (GaAsP)
- Nitruro de galio-aluminio (AlGaN)
- Fosfuro de galio-aluminio (AlGaP)
- Nitruro de galio-indio (InGaN)
- Antimoniuro de indio-arsénico (InAsSb)
- Antimoniuro de galio-indio (InGaSb)
- Aleaciones cuádruples con elementos de los grupos III y V
- Fosfuro de aluminio-galio-indio (AlGaInP, o InAlGaP, InGaAlP, AlInGaP)
- Fosfuro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsP)
- Fosfuro de indio-galio-arsénico (InGaAsP)
- Fosfuro de aluminio-indio-arsénico (AlInAsP)
- Nitruro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsN)
- Nitruro de indio-galio-arsénico (InGaAsN)
- Nitruro de indio-aluminio-arsénico (InAlAsN)
Grupos II y VI
editar- Semiconductores de los grupos II y VI
- Seleniuro de cadmio (CdSe)
- Sulfuro de cadmio (CdS)
- Telururo de cadmio (CdTe)
- Óxido de zinc (ZnO)
- Seleniuro de zinc (ZnSe)
- Sulfuro de zinc (ZnS)
- Telururo de zinc (ZnTe)
Grupos I y VII
editar- Semiconductores de los grupos I y VII
- Cloruro de cobre (CuCl)
Grupos IV y VI
editar- Semiconductores de los grupos IV y VI
- Seleniuro de plomo (PbSe)
- Sulfuro de plomo (PbS)
- Telururo de plomo (PbTe)
- Sulfuro de estaño (SnS)
- Telururo de estaño (SnTe)
- Aleaciones triples con elementos de los grupos IV y VI
- Telururo de plomo-estaño (PbSnTe)
- Telururo de talio-plomo (Tl2SnTe5)
- Telururo de talio-germanio (Tl2GeTe5)
Grupos V y VI
editar- Semiconductores de los grupos V y VI
- Telururo de bismuto (Bi2Te3)
Grupo II-V
editar- Semiconductores de los grupos II y V
- Fosfuro de cadmio (Cd3P2)
- Arseniuro de cadmio (Cd3As2)
- Antimoniuro de cadmio (Cd3Sb2)
- Fosfuro de zinc (Zn3P2)
- Arseniuro de zinc (Zn3As2)
- Antimoniuro de zinc (Zn3Sb2)
Semiconductores por capas
editar- Yoduro de estaño (II) (SnI2)
- Disulfuro de molibdeno (MoS2)
- Seleniuro de galio (GaSe)
- Sulfuro de estaño (SnS)
- Sulfuro de bismuto (Bi2S3)
- Seleniuro de cobre-indio-galio (CIGS)
- Siliciuro de platino (PtSi)
- Yoduro de bismuto II (BiI3)
- Yoduro de mercurio II (HgI2)
- Bromuro de talio (TlBr)
- Óxidos varios
- Dióxido de titanio: (anatase) (TiO2)
- Óxido de cobre (I) (Cu2O)
- Óxido de cobre (II) (CuO)
- Dióxido de uranio (UO2)
- Trióxido de uranio (UO3)
- Semiconductores magnéticos
Datos: Q2659774
Multimedia: Semiconductor materials / Q2659774
